
BAUTEILE AUS SILIZIUM-INFILTRIERTEM SILIZIUMCARBID MIT PORO
2004519-daß man ein Bauteil aus Silizium-infiltriertem Siliziumcarbid mit40ä95 Gew.-% SiC,1ä45 Gew.-% Kohlenstoff-Partikeln der Korngröße
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Siliziumcarbid-Schottky-Diode Silicon carbide Schottky diodeHalbleiterbauteil, umfassend: A semiconductor device, comprising: ein SiC-Substrat mit einer besti
20111212-dass der Anteil an Siliziumcarbid-Partikeln (P)als Verst?rkungspartikel ein SiC-Pulver ein6 zeigt dazu mit A markiert die dunkelgrauen
Aktives siliziumcarbidpulver, enthaltend eine borkomponente, und verfahren zu dessen herstellung Active silicon carbide powder containing a boron component, a
welches Siliziumcarbid und ein Kupfer enthaltendes Metall jeweils in Pulverform enthält, wobei das Ausgangsmaterial zu einem Formkörperrohling (1)
Chrommetallpulver und einem binären Chromaluminiumpulver gewählt ist20. Durch Chromumwandlung bedecktes Siliziumcarbid, hergestellt mit dem
Verfahren zur Strukturierung von Siliziumcarbid und SiC-Graben-MOSFET?abstract? Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Strukturierung von
(HIPen) von mit Carbidfaser oder Carbidwhisker aus der Gruppe SiC, HfC, NbC, TaC, TiC, VC oder ZrC verstärkten Siliziumnitridformkörpern
Es wird ein Siliziumcarbidpulver zur Herstellung eines Siliziumcarbid-Einkristalls bereitgestellt, dessen durchschnittlicher Teilchendurchmesser mindestens 10
Siliziumcarbid-Metall-Diffusionsbarriere-SchichtMark Jon Midland LobodaKeith Winton Midland Michael
Siliziumcarbid-Metall-Diffusionsbarriere-SchichtLOBODA MARK JONMICHAEL KEITH WINTON
201388-Unter stark reduzierenden Bedingungen, wenn weder Silizium noch Chrom oxidiepaperdescribes laboratoryinvestigation carburi-sation resista
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